Брянский Государственный Технический Университет

Кафедра "Электронные радиоэлектронные и                электротехнические системы"

информация (презентация программы)

Название программы

"Разработка и производство силовой микроэлектроники на карбиде кремния"

Автор, разработчик программы:

Иванов П.А. (ФТИ им. А.Ф. Иоффе РАН), Хвостов В.А., Малаханов А.А., Некрасова М.Ю., Попков В.И., Демидов А.А., Зотин В.Ф., Власов А.И., Федяева Г.А., Школин А.Н, Матюшков С.Ю., Дюжев Н.А. (ФГАОУ "НИУ "МИЭТ"), Пудонин Ф.А. (ФИ им. П.Н. Лебедева РАН)

Тип образования:

Повышение квалификации

Уровень образования:

Дополнительное профессиональное образование

Срок обучения:

Нормативный срок освоения программы составляет для каждой целевой группы специалистов 300 часов  при очной форме подготовки.

Программа предусматривает возможность выбора обучающимися модулей для освоения.

Минимальное количество часов для освоения – 300.

Программа разработана при поддержке ОАО «РОСНАНО»/Фонда

инфраструктурных и образовательных программ

Формирование профессиональных компетенций, позволяющих выполнять инженерные работы в сфере проектирования, конструирования, производства и контроля силовой элементной базы микроэлектроники на основе карбида кремния.

Прошедший обучение и итоговую аттестацию должен быть готов к профессиональнойдеятельности в качестве

  1. Инженера-разработчика конструкций полупроводниковых приборов на карбиде кремния;
  2. Инженера-разработчика технологических процессов формирования полупроводниковых приборов на карбиде кремния;
  3. Инженера-технолога по контрольно-испытательному оборудованию и оснастке для классификации и испытаний силовых полупроводниковых приборов на карбиде кремния;
  4. Инженера-технолога производства полупроводниковых приборов на карбиде кремния.

Структура программы

Обучение по программе предполагает получение образовательных результатов, зафиксированных в таблице 1, в процессе изучения перечисленных профессиональных модулей:

 

На базе программы создан электронный учебный курс (Дистанционный модуль).

Таблица 1

Результаты и структура образовательной программы

Код

Формулировка образовательного результата

Структурная единица

ПК 1

Разрабатывать конструктивно-технологические решения силовых полупроводниковых приборов на карбиде кремния с заданными параметрами и характеристиками с использованием САПР программно-технологического проектирования и моделирования

ПМ 1. Разработка конструктивно-технологических решений и выходной контроль полупроводниковых приборов на карбиде кремния

[вариативный]

ПК 5.1

Разрабатывать перечень процессов классификации и испытаний приборов на карбиде кремния

ПК 3.1

Разрабатывать технологические процессы формирования диодных и транзисторных структур на карбиде кремния

ПМ 2. Разработка технологических процессов и требования к специальному технологическому оборудованию для производства приборов на карбиде кремния.

[вариативный]

ПК 4

Разрабатывать технические требования на специальное технологическое оборудование для производства приборов на карбиде кремния

ПК 3.2

Осуществлять технологические процессы формирования диодных и транзисторных структур на карбиде кремния

ПМ 3. Реализация технологических процессов производства силовых приборов на карбиде кремния и контроль качества технологических операций.

[вариативный]

ПК 6

Осуществлять контроль качества на всех стадиях изготовления приборов на карбиде кремния

ПК 8

Осуществлять управление и контроль технологических процессов изготовления приборов на карбиде кремния с использованием средств автоматизации технологических процессов

ПК 5.2

Осуществлять процессы классификации и испытаний приборов на карбиде кремния

ПМ 4. Классификация и испытания приборов на карбиде кремния

[вариативный]

ПК 7

Разрабатывать технические требования на контрольно-испытательное оборудование и оснастку (КИИОиО)

ПК 2

Исследовать наноразмерные полупроводниковые области структур на карбиде кремния с использованием средств электронной и цифровой микроскопии

ПМ 5. Общепрофессиональный

[инвариантный]

Промежуточные результаты программы достигаются в рамках освоения следующих учебных дисциплин (УД), междисциплинарных курсов (МДК):

−        Силовые полупроводниковые приборы (МДК) – ПМ 5

−        Приборно-технологическое моделирование (УД) – ПМ 1

−        Технология силовых полупроводниковых приборов на карбиде кремния (МДК) – модули ПМ 2, 3

−        Процессы классификации и испытаний полупроводниковых приборов (МДК) – модули ПМ 1, 4

−        Оборудование для производства силовых приборов на карбиде кремния (УД) – ПМ 2

−        Автоматизированные системы управления технологическими процессами (МДК) – модуль 3

−        Оборудование для классификации и испытаний полупроводниковых приборов (УД) – ПМ 4

−        Электронная и цифровая микроскопия (МДК) – ПМ 5

 

Отличительные особенности программы

Главной особенностью разрабатываемой образовательной программы является то, что она ориентирована на контингент обучающихся, являющихся специалистами в области разработки и производства микроэлектронной элементной базы на базе кремниевых технологий.

Формирование у слушателей профессиональных компетенций, предлагаемых в разрабатываемой образовательной программе, позволит реализовать в электронной промышленности новые направления разработки и производства силовой элементной базы микроэлектроники на основе карбида кремния ­ перспективного материала для высокотемпературной, сильноточной, высоковольтной и радиационно-стойкой электронной элементной базы.

В основу разработки программы была заложена модульная организация, которая обеспечит:

−        мобильность учебного процесса;

−        участие обучающегося в организации и планировании образовательной деятельности;

−        формирование индивидуальной образовательной траектории;

−        высокую меру самостоятельности.

В модульном формате организации программы появляется возможность так организовать процесс обучения, чтобы освоение отдельных модулей в сборке приводило к повышению квалификации как по направлению проектно-конструкторской деятельности, так производственно-технологической.

Образовательные результаты программы

Результаты  образовательной программы

Код

Формулировка образовательного результата

ПК 1

Разрабатывать конструктивно-технологические решения силовых полупроводниковых приборов на карбиде кремния с заданными параметрами и характеристиками с использованием САПР программно-технологического проектирования и моделирования

ПК 5.1

Разрабатывать перечень процессов классификации и испытаний приборов на карбиде кремния

ПК 3.1

Разрабатывать технологические процессы формирования диодных и транзисторных структур на карбиде кремния

ПК 4

Разрабатывать технические требования на специальное технологическое оборудование для производства приборов на карбиде кремния

ПК 3.2

Осуществлять технологические процессы формирования диодных и транзисторных структур на карбиде кремния

ПК 6

Осуществлять контроль качества на всех стадиях изготовления приборов на карбиде кремния

ПК 8

Осуществлять управление и контроль технологических процессов изготовления приборов на карбиде кремния с использованием средств автоматизации технологических процессов

ПК 5.2

Осуществлять процессы классификации и испытаний приборов на карбиде кремния

ПК 7

Разрабатывать технические требования на контрольно-испытательное оборудование и оснастку (КИИОиО)

ПК 2

Исследовать наноразмерные полупроводниковые области структур на карбиде кремния с использованием средств электронной и цифровой микроскопии

Порядок приема слушателей

Лица, поступающие на обучение, должны иметь документ о получении высшего профессионального образования.

Условия допуска слушателей к образовательной прогграмме учитывают интегральный рейтинг их предыдущей подготовки (освоения бакалаврских и/или магистерских программ, программ специалитета по направлениям подготовки 210100 «Электроника и наноэлектроника» (бакалавры, магистры) и 210100 — «Электроника и микроэлектроника» (специалисты) и другим родственным направлениям и специализациям подготовки, а также опыт практической работы в данной области, оцениваемый при участии работодателя в процедуре отбора.


 

 

 


Объявления

Конференции

Научные семинары